BALLUFF磁敏氣缸傳感器安裝手冊(cè)，BES-M12MT-PSC-20B-BV03

選型參數(shù)
磁敏傳感器是組成傳感器產(chǎn)品的一個(gè)重要部分，隨著我磁敏傳感器技術(shù)的發(fā)展，其產(chǎn)品種類和將會(huì)得到進(jìn)一步發(fā)展和提高，進(jìn)軍汽車、民用儀表等使用量大的應(yīng)用域即將實(shí)現(xiàn)。產(chǎn)的電流傳感器、高斯計(jì)等產(chǎn)品目前已經(jīng)打入際市場(chǎng)，與際進(jìn)產(chǎn)品的差距正逐漸縮小。
二、內(nèi)磁傳感器的應(yīng)用特點(diǎn)
電流傳感器：內(nèi)包括沈陽儀表科學(xué)研究院、西南自動(dòng)化所等幾十家不同的企業(yè)在和銷售電流傳感器/變送器，其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)白熱化。該域也是內(nèi)磁敏傳感器應(yīng)用早、普及、成熟的域。
直流無刷電機(jī)域：InSb霍爾元件為主，主要用于直流無刷電機(jī)轉(zhuǎn)子位置檢測(cè)，并提供定子線圈電流換向的激勵(lì)信號(hào)，目前年需求量都在上億只，價(jià)格也比較。該域是磁敏傳感器用量的域，但是在內(nèi)目前未形成工業(yè)化。
流量計(jì)量域：用于電子水表、電子煤氣表、流量計(jì)等流量發(fā)訊傳感器的低功耗薄膜磁體磁阻器件。該域是磁敏傳感器內(nèi)發(fā)展?jié)摿Φ男屡d應(yīng)用域，目前處于市場(chǎng)成長期。
測(cè)量儀表：高斯計(jì)，用于磁場(chǎng)檢測(cè)，在磁性材料及應(yīng)用方面用量較多。另外，內(nèi)的磁敏傳感器在轉(zhuǎn)速/轉(zhuǎn)數(shù)測(cè)量、識(shí)別等域，也均有應(yīng)用，但沒有形成規(guī)模。
傳統(tǒng)的磁檢測(cè)中被采用的是電感線圈為敏感元件。特點(diǎn)正是無須圈中通電，一般僅對(duì)運(yùn)動(dòng)中的永磁體或電流載體起敏感作用。后來發(fā)展為用線圈組成振蕩槽路的。 如探雷器， 金屬異物探測(cè)器，測(cè)磁通的磁通計(jì)等. (磁通門，振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì))。 二, 霍爾傳感器 霍爾傳感器是依據(jù)霍爾效應(yīng)制成的器件。 霍爾效應(yīng)：通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場(chǎng)作用時(shí)，則載流子受到洛倫茲力的作用， 并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢(shì)差， 在經(jīng)過特殊工藝制備的半導(dǎo)體材料這種效應(yīng)更為。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應(yīng)的材料Insb(銻化銦)。為增強(qiáng)對(duì)磁場(chǎng)的敏感度,在材料方面半導(dǎo)體IIIV 元素族都有所應(yīng)用。近年來，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的。霍爾器件由于其工作機(jī)理的原因都制成全橋路器件，其內(nèi)阻大約都在150Ω~500Ω之間。對(duì)線性傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。 Insb與硅襯底霍爾器件典型工作電流為10mA。而砷化鎵典型工作電流為2 mA。作為低弱磁場(chǎng)測(cè)量，我們希望傳感器自身所需的工作電流越低越。（因?yàn)殡娫粗車从写艌?chǎng)，就不同程度引進(jìn)誤差。另外，目前的傳感器對(duì)溫度很敏感，通的電流大了，有一個(gè)自身加熱問題。（溫升）就造成傳感器的零漂。這些方面除外附補(bǔ)償電路外，在材料方面也在不斷的進(jìn)行改進(jìn)。 霍爾傳感器主要有兩大類，一類為開關(guān)型器件，一類為線性霍爾器件，從結(jié)構(gòu)形式（品種）及用量、產(chǎn)量前者大于后者?；魻柶骷捻憫?yīng)速度大約在1us 量。 三，磁阻傳感器 磁阻傳感器，磁敏二極管等是繼霍爾傳感器后派生出的另一種磁敏傳感器。采用的半導(dǎo)體材料于霍爾大體相同。但這種傳感器對(duì)磁場(chǎng)的作用機(jī)理不同，傳感器內(nèi)載流子運(yùn)動(dòng)方向與被檢磁場(chǎng)在一平面內(nèi)。

維護(hù)手冊(cè)
順便提醒一點(diǎn)，霍爾效應(yīng)于磁阻效應(yīng)是并存的。在制造霍爾器件時(shí)應(yīng)努力減少磁阻效應(yīng)的影響，而制造磁阻器件時(shí)努力避免霍爾效應(yīng)（在計(jì)算公式中，互為非線性項(xiàng)）。在磁阻器件應(yīng)用中，溫度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制備方面，磁阻器件由于與霍爾不同，因此，早期的產(chǎn)品為單只磁敏電阻。由于溫度漂移大，現(xiàn)在多制成單臂（兩只磁敏電阻串聯(lián)）主要是為補(bǔ)償溫度漂移。目前也有全橋產(chǎn)品，但用法（目的）與霍爾器件略有差異。據(jù)報(bào)導(dǎo)磁阻器件的響應(yīng)速度同霍爾1uS量。 磁阻傳感器由于工作機(jī)理不同于霍爾，因而供電也不同，而是采用恒壓源（但也需要一定的電流）供電。當(dāng)后續(xù)電路不同對(duì)供電電源的穩(wěn)定性及內(nèi)部噪聲要求高低有所不同。 四， 磁敏器件應(yīng)用的問題 磁敏器件（單元）體積問題： 在磁敏元件作為檢測(cè)磁場(chǎng)而設(shè)計(jì)和制造的 ，一般檢測(cè)的概念是：測(cè)量磁場(chǎng)中某一點(diǎn)的磁性。作為點(diǎn)的定義在幾何學(xué)中是無限小的。在磁場(chǎng)檢測(cè)中，由于磁場(chǎng)的面積、體積、縫隙大小等都是有限面積（尺寸），因此我們希望磁敏元件之面積與被測(cè)磁場(chǎng)面積相比也應(yīng)該是越小越準(zhǔn)確。在磁場(chǎng)成像的技術(shù)中，元件體積越小，在相同的面積內(nèi)采集的像素就愈多。分辨率、清晰度越高。在表面磁場(chǎng)測(cè)量與多磁體的檢測(cè)中，在磁柵尺中，必然有如此要求。從磁敏元件工作機(jī)理看，為提高靈敏度在幾何形狀處于磁場(chǎng)中的幾何尺寸都有相應(yīng)要求，這與“點(diǎn)”的要求是相矛盾的。在與外專家技術(shù)交流中得知，1999年俄羅斯專家說他們制成了體積0 .6mm得探頭（是幾個(gè)研究所合作搞成的）。美也有相應(yīng)的產(chǎn)品，售價(jià)約70美元一只。是否是目前水平，未見其它報(bào)導(dǎo)。 在二維場(chǎng)和三維場(chǎng)的測(cè)量中探頭的封裝垂直度的要求也有很大的難度。
產(chǎn)品圖片

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